まさはる's Weblog

　今年の1月に1冊目の教科書「CQ出版社 定本 トランジスタ回路の設計」が終わったので、しばらく息抜きに別の回路を組んでいましたが、続編の「CQ出版社 定本 続トランジスタ回路の設計」の実習をしないとFETが使えるようにならないので、第4章までやってみました。

（第2〜3章のソース接地増幅回路）

ソース接地増幅回路

　ブレッドボードの左側は前回の状態変数型正弦波発生回路で、ソース接地増幅回路は右側の部分です。

ソース接地増幅回路の回路図（PDFはこちら）

　これまで、JFETは正弦波発生回路で使っており、その時は見よう見まねで作っているので気にしたことはありませんでしたが、実際に計算してみると、V_GSの範囲が広くてどの値になるか分からんとか、ゲートよりソースの方が電圧が高いなどが分かりました。

回路図のA点とB点（CH1（黄色）はA点、CH2（水色）はB点）


回路図のV_G点とV_S点（CH1（黄色）はV_G点、CH2（水色）はV_S点）

　上の絵は入力と出力です。エミッタ接地増幅回路と同様に位相が反転しています。また、電圧利得は設計値が3倍に対して2.5倍になっています。
　下の絵はゲート電圧とソース電圧で、ソース電圧の方が高くなっています。

（第4章のソース・フォロワ回路）

ソース・フォロワ回路

　最初の写真とほとんど変わりませんが、抵抗の値等が変わっています。

ソース・フォロワ回路の回路図（PDFはこちら）

　今回は計算値と実測値が結構ずれています。V_GSを中間値の-0.8Vで計算しているのですが、実際は-1.16Vだったのがずれた原因かもしれません。

回路図のA点とB点（CH1（黄色）はA点、CH2（水色）はB点）

　出力の振幅がちょっと小さくなっていますが、気にしないことにしておきます。ちなみに、本来1倍のところ0.7倍ぐらいになっているので、測り方に問題があったのかもしれません。